BeSang annonce une percée technologique avec la DRAM TRUE 4F2

BeSang a annoncé une avancée majeure avec l'introduction de la technologie DRAM TRUE 4F2, surmontant les limites de mise à l'échelle des DRAM 6F2 conventionnelles. Pendant des décennies, la DRAM 4F2 a été considérée comme un objectif industriel mais n'a jamais été une réalité commerciale en raison des barrières techniques structurelles et de traitement qui entraînaient des cellules beaucoup plus grandes que la taille 4F2 souhaitée.

La société a maintenant réalisé ce qui était autrefois considéré comme improbable. Sa technologie propriétaire DRAM TRUE 4F2 délivre une cellule effective de 4F2, débloquant de nouveaux niveaux de densité, d'efficacité, de vitesse et d'économies de coûts. Chris Lee, directeur de l'exploitation de BeSang, a déclaré que cette technologie défiera la limitation de mise à l'échelle des cellules DRAM 6F2 et constituera des solutions incroyablement peu coûteuses pour les produits DRAM autonomes.

La technologie TRUE 4F2 DRAM est conçue pour la polyvalence, supportant les CI 2D traditionnels, les CI 3D monolithiques et les CI 3D au niveau du boîtier, permettant à la fois des applications autonomes et intégrées. Cette innovation fournira également des solutions de mémoire cache L3 intégrée à ultra haute densité pour les applications GPU/CPU/AP, améliorant considérablement les performances du système et réduisant la dépendance à la HBM haute pile pour l'IA.

Avec TRUE 4F2 DRAM, BeSang établit une nouvelle norme pour la mémoire à haut rendement, haute densité et haute performance à coût efficace, signalant un bond en avant transformateur pour l'industrie des semi-conducteurs. Pour plus d'informations, visitez le site officiel de BeSang.